收藏本站
SiHP7N60E
www.vishay.com
Vishay Siliconix
R G
V GS
V DS
R D
D.U.T.
+
- V DD
10 V
Q GS
Q G
Q GD
10 V
V G
Pulse width ≤ 1 μs
Duty factor ≤ 0.1 %
Charge
Fig. 12 - Switching Time Test Circuit
Fig. 16 - Basic Gate Charge Waveform
Current regulator
V DS
90 %
12 V
Same type as D.U.T.
50 k Ω
0.2 μF
0.3 μF
+
10 %
D.U.T.
-
V DS
V GS
t d(on)
t r
t d(off) t f
V GS
3 mA
Fig. 13 - Switching Time Waveforms
I G
I D
Current sampling resistors
L
Fig. 17 - Gate Charge Test Circuit
Vary t p to obtain
required I AS
V DS
R G
D.U.T
I AS
+
-
V DD
10 V
t p
0.01 Ω
Fig. 14 - Unclamped Inductive Test Circuit
V DS
t p
V DD
V DS
I AS
Fig. 15 - Unclamped Inductive Waveforms
S12-3086-Rev. B, 24-Dec-12
5
Document Number: 91508
For technical questions, contact: hvm@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SIHU3N50D-E3 MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK
SIHU5N50D-E3 MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK
SIJ400DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8L
SIJ458DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 8-SOIC
SIJ482DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 80V 60A SO-8
SIJ800DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V PPAK SO-8L
SIM-012SBT87 EMITTER IR SIDE VIEW SMD T/R
SIM-030ST LED IR 870NM 30MW SR SMD
相关代理商/技术参数
SIHP8N50D 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:D Series Power MOSFET
SIHP8N50D-E3 功能描述:MOSFET 500V 850mOhm@10V 8.7A N-Ch D-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SiHP8N50D-GE3 功能描述:MOSFET 500V 8A 850mOhm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIHS20N50C-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N-CHANNEL 500-V - Rail/Tube 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AD
SIHS36N50D-E3 功能描述:MOSFET 500V 130mOhm@10V 36A N-Ch D-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIHU3N50D 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:D Series Power MOSFET
SIHU3N50D-E3 功能描述:MOSFET 500V 3.2ohm@10V 3A N-Ch D-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SiHU3N50D-GE3 功能描述:MOSFET 500V 3A 3.2Ohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube